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台积电亚利桑那工厂试产4纳米芯片,良率达标 并增强美国半导体自主性

时间:2010-12-5 17:23:32  作者:综合   来源:焦点  查看:  评论:0
内容摘要:台积电位于美国亚利桑那州的工厂近日成功试产4纳米芯片,且良率已接近台湾本土工厂水平。这一里程碑标志着台积电海外扩张战略取得关键突破,也意味着美国本土先进芯片制造能力迈上新台阶。据悉,该工厂主要服务苹果

台积电亚利桑那工厂试产4纳米芯片,良率达标 并增强美国半导体自主性
英伟达等大客户,良率达标台积电位于美国亚利桑那州的台积工厂近日成功试产4纳米芯片,并增强美国半导体自主性。电亚且良率已接近台湾本土工厂水平。利桑这一里程碑标志着台积电海外扩张战略取得关键突破,那工该工厂主要服务苹果、厂试产纳预计明年实现大规模量产。米芯分析人士认为,良率达标也意味着美国本土先进芯片制造能力迈上新台阶。台积这有助于缓解全球芯片供应链集中风险,电亚据悉,利桑那工来源:路透社
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